সিরামিক বেস পিসিবি হল একটি বিশেষ ধরনের মুদ্রিত সার্কিট বোর্ড যা বেস হিসাবে সিরামিক উপকরণ ব্যবহার করে এবং পৃষ্ঠের উপর একটি ধাতব পরিবাহী স্তর (সাধারণত তামা বা অ্যালুমিনিয়াম) দিয়ে লেপা থাকে। এগুলি প্রধানত উচ্চ-শক্তি এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ইলেকট্রনিক উপাদান সমর্থন করতে ব্যবহৃত হয়। চমৎকার তাপ পরিবাহিতা, বৈদ্যুতিক নিরোধক, এবং উচ্চ-তাপমাত্রা প্রতিরোধের সাথে সিরামিকের উত্তম বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা মেটাল স্তরের সাথে একত্রিত করে, সিরামিক সাবস্ট্রেটগুলি উচ্চ-ইলেক্ট্রনিক যন্ত্রপাতি যেমন নতুন শক্তির যান, ফোটোভোলটাইক ইনভার্টার, 5G- উচ্চ ক্ষমতাসম্পন্ন বেস-ডাক্ট স্টেশনের মূল উপাদান হয়ে উঠেছে।
সিরামিক সাবস্ট্রেটের ধরন দুটি প্রধান দৃষ্টিকোণ থেকে শ্রেণীবদ্ধ করা যেতে পারে: উপকরণ এবং উত্পাদন প্রক্রিয়া।
| মনোনীত | কোড | পার্ট নম্বর | প্রস্তুতকারক | পরিমাণ | |||
| C1, C4, C20, C182, C191 | NP0-0402-50 V-100 pF±5 % | 5 | 250 | 500 | |||
| C2, C92, C99, C100, C101, C102, C103, C104 | X5R-0402-50 V-220 nF+-10 % | 8 | 400 | ||||
| C3, C6, C7, C8, C11, C24, C25, C26, C27, C28, C30, C31, C34, C37, C47, C51, C52, C53, C54, C55, C68, C69, C70, C71, C79, C80, C84, C93, C94, C95, C96, C97, C98, C107, C108, C110, C112, C114, C115, C123, C124, C127, C130, C135, C138, C140, C142, C145, C152, C153, C154, C155, C156, C157, C158, C159, C160, C161, C166, C168, C171, C173, C181, C184, C185, C186, C187, C188, C189, C190 | X7R-0402-50 V-100 nF+-10 % | 70 | 3500 | 7000 | |||
| C5, C9, C10, C91 | X7R-0402-50 V-1 nF+-10 % | 4 | 200 | 400 | |||
| C21, C22, C23 | X7R-0402-25 V-1 µF+-10 % | GRM155R61E105KA12D | 3 | 450 | 300 | ||
| C29, C42 | X7R-0402-50 V-220 pF+-10 % | 2 | 300 | 800 | 200 | ||
| C32, C33, C35, C36 | X5R-0201-10 V-100 nF+-10% | 4 | 200 | 400 | -20% | ||
| C38, C39, C40, C41, C46, C56 | X7R-0402-6,3 V-1 µF+-10 % | 6 | 300 | 600 | |||
| C43, C44, C45, C63 | X5R-0805-6,3 V-47 µF±20 % | 4 | 200 | 400 | |||
| C48, C49, C50, C67 | X5R-0603-10 V-22 µF+-10 % | 4 | 200 | 400 | -20% | ||
| C57, C58, C59, C167 | NP0-0402-50 V-22 pF±5 % | 4 | 200 | 400 | |||
| C60, C61, C62, C64, C65, C66, C169, C170, C183 | X5R-0603-6,3 V-22 µF±20 % | 9 | 450 | 900 | |||
| C72, C73, C74, C172, C175 | X7R-0402-50 V-10 nF+-10 % | 5 | 250 | 500 | |||
| C75, C76, C77, C78 | X7R-1206-50 V-10 µF+-10 % | 4 | 200 | 400 | |||
| C81, C90 | X7R-0402-50 V-22 nF+-10 % | 2 | 300 | 200 | |||
| C82, C83, C163, C164, C178, C179 | X6S-0402-16 V-1 µF+-10 % | 6 | 300 | 600 | |||
| C85 | X5R-0402-6,3 V-4,7 µF+-20 % | 1 | 150 | 100 | |||
| C86 | NP0-0603-50 V-47 pF+-5 % | 1 | 150 | 100 | |||
| C87, C88, C89 | X7R-1210-10 V-47 µF+-10 % | 3 | 150 | 300 | |||
| C105, C106, C109, C111, C149, C150 | NP0-0402-50 V-33 pF±5 % | 6 | 300 | 600 | |||
| C113, C116, C117, C118, C119, C120, C121, C122, C125, C126, C128, C129, C131, C132, C133, C134, C136, C137, C139, C141, C143, C144, C146, C162, C165, C180 | X5R-0402-6,3 V-10 µF+-20 % | 26 | 1300 | 2600 | |||
| C147 | 10TPB220M | প্যানাসনিক | 1 | 100 | |||
| C148 | X5R-1210-16 V-100 µF±20 % | 1 | 50 | 100 | |||
| C151 | X7R-0805-16 V-2,2 µF+-10 % | 1 | 150 | 100 | |||
| C174 | X7R-1210-50 V-4,7 µF+-10 % | 1 | 50 | 100 | |||
| C176, C177 | EEEFK1H470XP | প্যানাসনিক | 2 | 200 | |||
| C192 | NP0-0402-50 V-220 pF+-5 % | 1 | 150 | 100 | |||
| DA1, DA2, DA3 | SGM2576YN5G/TR | এসজিমাইক্রো | 3 | 300 | |||
| DA4, DA5, DA6, DA10 | SY98003AQNC | সিলার্জি | 4 | 400 | |||
| DA7, DA8 | LD39050PUR | এসটিমাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স | 2 | 200 | |||
| DA9 | MPQ4316GRE-AEC1 | এমপিএস | 1 | 100 | |||
| DA11 | LM74800QDRRRQ1 | টেক্সাস ইন্সট্রুমেন্টস | 1 | 100 | |||
| DA12 | SY8089AAC | সিলার্জি | 1 | 100 | |||
| DA13 | LP5907MFX-1.2/NOPB | টেক্সাস ইন্সট্রুমেন্টস | 1 | 100 | |||
| DD1 | 2N7001TDPWR | টেক্সাস ইন্সট্রুমেন্টস | 1 | 100 | |||
| DD2 | FUSB302BMPX | অনসেমি | 1 | 100 | |||
| DD3 | MCP2542FDT-H/MF | মাইক্রোচিপ প্রযুক্তি | 1 | 100 | |||
| DD4 | XS9922B | চিপুপ | 1 | 100 | |||
| DD6 | MS1836S | ম্যাক্রোসিলিকন | 1 | 100 | |||
| DD7 | PCA9617ADPJ | নেক্সেরিয়া | 1 | 100 | |||
| FB1, FB14 | BLM18PG121SN1D | মুরাতা | 2 | 100 | 200 | ||
| FB2, FB3 | BLM18KG121TN1 | মুরাতা | 2 | 100 | 200 | ||
| FB4, FB5, FB6, FB7, FB8, FB9, FB10 | BLM18EG601SN1D | মুরাতা | 7 | 350 | 700 | ||
| FB11 | FBMH1608HM101-T | তাইও | 1 | 50 | 100 | ||
| L1 | SPM5030T-4R7M-HZ | বিষয | 1 | 50 | 100 | ||
| L2 | LQM2HPN2R2MGSL | মুরাতা | 1 | 50 | 100 | ||
| MP1, MP2, MP3, MP4 | 9774020633R | আমরা | 4 | 400 | |||
| MP5, MP6, MP7, MP8 | 9774050243R | আমরা | 4 | 400 | |||
| R1, R3, R26, R126 | 0402-100 Ω+-1 % | 4 | 200 | 400 | |||
| R2, R4, R5, R6, R12, R13, R15, R46, R105, R146, R151, R153, R161, R168, R177, R178, R185, R186, R187, R188, R189, R190, R191, R192, R196, R197, R198, R199, R202, R205, R214, R215, R216, R217, R218, R219, R220, R221, R222, R223, R224 | 0402-0 Ω+-5 % | 41 | 2050 | 4100 | |||
| R7 | 0402-12 Ω+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R8, R16, R38, R50, R61, R70, R71, R109 | 0402-1 kΩ+-1 % | 8 | 400 | 800 | |||
| R9 | 0603-1 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R10, R179, R180, R181 | 0603-1,5 kΩ+-1 % | 4 | 200 | 400 | |||
| R17, R36, R37, R47, R58, R62, R66, R72, R73, R83, R111, R112, R204, R227 | 0402-10 kΩ+-1 % | 14 | 700 | 1400 | |||
| R22, R24, R48, R85, R86, R88, R99, R106, R107, R121, R122, R125, R127, R128, R129, R130, R131 | 0402-100 kΩ+-1 % | 17 | 850 | 1700 | |||
| R25, R59, R90, R108, R123 | 0402-20 kΩ+-1% | 5 | 250 | 500 | |||
| R27, R28, R30, R31, R32, R33, R34, R35 | 0402-590 Ω+-1 % | 8 | 400 | 800 | |||
| R29 | 0402-27 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R39, R40 | 0402-1,8 kΩ+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R41, R42, R43 | 0402-47 kΩ+-1 % | 3 | 450 | 300 | |||
| R44 | 0402-1,2 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R45 | 0603-120 Ω+-5 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R49 | 0402-8,2 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R52, R94, R95, R113, R120 | 0603-0 Ω+-5 % | 5 | 250 | 500 | |||
| R56, R57 | 0603-5,1 kΩ+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R60, R63, R64, R65 | 0402-2,2 Ω+-1 % | 4 | 200 | 400 | |||
| R67, R82, R91, R124 | 0402-2,2 kΩ+-1% | 4 | 200 | 400 | |||
| R68, R69, R76, R77, R78, R79, R80, R81, R92, R93, R132 | 0402-100 kΩ+-5 % | 11 | 550 | 1100 | |||
| R74, R75, R84, R133, R138, R139, R140, R141, R149, R150, R167, R172, R174, R176, R183, R184, R193, R194, R195, R229, R230 | 0402-4,7 kΩ+-1 % | 21 | 1050 | 2100 | |||
| R87 | 0402-31,6 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R89 | 0402-120 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R96 | 0402-4,3 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R97 | 0402-75 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R98 | 0402-51 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R100, R102 | 0402-39 kΩ+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R101 | 0402-15 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R103 | 0402-30 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R110 | 0402-330 Ω+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R115, R116 | 0603-1,8 kΩ+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R119, R147 | 0402-75 Ω+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R135, R136 | 0402-0 Ω+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R148 | 0402-10 Ω+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R152 | 0402-22 Ω+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R154 | 0402-1 MΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R160 | 0402-4,02 kΩ+-1 % | 1 | 150 | 100 | |||
| R169, R170 | 0805-0,033 Ω+-1 % | 2 | 300 | 200 | |||
| R182 | 0402-1 kΩ+-5 % | 1 | 150 | 100 | |||
| SB1, SB2 | B3U-3000P | ওমরন | 2 | 200 | |||
| VD1, VD17 | ESD5Z2.5T1G | সেমিকন্ডাক্টর অন | 2 | 200 | |||
| ভিডি২ | SMBJ40CA-TR | এসটিমাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স | 1 | 100 | |||
| VD3, VD10, VD19 | GNL-0603GC | জি-না | 3 | 300 | |||
| VD4, VD18 | GNL-0603EC | জি-না | 2 | 200 | |||
| VD5, VD8 | MBR0540 | হটটেক | 2 | 200 | |||
| VD6, VD7, VD12, VD13 | ESD73034D | টেক পাবলিক | 4 | 400 | |||
| ভিডি9 | SMF05C.TCT | সেমটেক | 1 | 100 | |||
| VD14, VD16, VD21 | PRTR5V0U2AX,215 | নেক্সেরিয়া | 3 | 300 | |||
| ভিডি২০ | GNL-0603UYOC | জি-না | 1 | 100 | |||
| VT1, VT3, VT4, VT5, VT7 | 2N7002DW | হটটেক | 5 | 500 | |||
| VT2, VT6 | WNM6002-3/TR | উইলসেমি | 2 | 200 | |||
| VT8, VT9 | WMQ30N06TS | ওয়েয়ন | 2 | ||||
| VT10 | IRLML2502 | UMW | 1 | 100 | |||
| XP1, XP2, XP3, XP4, XP7, XP12, XP13, XP14, XP15 | SM03B-SRSS-টিবি | জেএসটি | 9 | 900 | |||
| XP5, XP11 | SM04B-SRSS-টিবি | জেএসটি | 2 | 200 | |||
| XP6, XP10 | SM05B-SRSS-টিবি | জেএসটি | 2 | 200 | |||
| XP8, XP9 | SM06B-SRSS-টিবি | জেএসটি | 2 | 200 | |||
| XS2, XS3, XS4, XS5 | AXK5F80547YG | প্যানাসনিক | 4 | 400 | |||
| XS6 | 10118241-001RLF | অ্যামফেনল | 1 | 100 | |||
| XS8, XS9 | 1054500101 | মোলেক্স | 2 | 200 | |||
| XS11 | 1759503-1 | TE সংযোগ | 1 | 100 | |||
| XS12 | 5034802400 | মোলেক্স | 1 | 100 | |||
| XS13 | 245804030000829+ | Kyocera AVX | 1 | 100 | |||
| ZQ1, ZQ2 | X322527MOB4SI | YXC | 2 | 200 |
সিরামিক উপাদান দ্বারা শ্রেণীবিভাগ
এটি হল সবচেয়ে মৌলিক শ্রেণিবিন্যাস পদ্ধতি, কারণ বিভিন্ন উপকরণ সাবস্ট্রেটের মূল কর্মক্ষমতা বৈশিষ্ট্য নির্ধারণ করে।
অ্যালুমিনা (Al₂O₃) সাবস্ট্রেট
বর্তমানে ইলেকট্রনিক্স শিল্পে সর্বাধিক ব্যবহৃত সিরামিক সাবস্ট্রেট উপাদান। তারা চমৎকার সামগ্রিক কর্মক্ষমতা, উচ্চ যান্ত্রিক শক্তি, ভাল রাসায়নিক স্থিতিশীলতা, প্রচুর কাঁচামাল এবং তুলনামূলকভাবে কম খরচ অফার করে। এগুলি মাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স, পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স এবং হাইব্রিড মাইক্রোইলেক্ট্রনিক্সে ব্যাপকভাবে প্রয়োগ করা হয়।
অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড (AlN) সাবস্ট্রেট
অত্যন্ত উচ্চ তাপ পরিবাহিতা দ্বারা বৈশিষ্ট্যযুক্ত (সাধারণত 170 W/(m·K) এর চেয়ে বেশি বা সমান) এবং তাপ সম্প্রসারণের একটি সহগ সিলিকন চিপগুলির সাথে ভালভাবে মিলে যায়, যা উচ্চ কার্যকারিতা তাপ ব্যবস্থাপনা অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য একটি আদর্শ পছন্দ করে তোলে। যাইহোক, তাদের খুব উচ্চ উপাদান বিশুদ্ধতা এবং কঠোর প্রক্রিয়া নিয়ন্ত্রণ প্রয়োজন।
সিলিকন নাইট্রাইড (Si₃N₄) সাবস্ট্রেট
যদিও উত্স উপাদানে বিস্তারিত ব্যাখ্যা ছাড়াই উল্লেখ করা হয়েছে, তারা সাধারণত তাদের চমৎকার যান্ত্রিক শক্তি এবং তাপীয় শক প্রতিরোধের জন্য পরিচিত, উচ্চ নির্ভরযোগ্যতার প্রয়োজনীয়তা সহ অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
বেরিলিয়াম অক্সাইড (BeO) সাবস্ট্রেট
ধাতব অ্যালুমিনিয়ামের চেয়েও বেশি তাপ পরিবাহিতা আছে, তবে উপাদানের বিষাক্ততার কারণে তাদের প্রয়োগ কঠোরভাবে সীমিত।
উত্পাদন প্রক্রিয়া দ্বারা শ্রেণীবিভাগ
বিভিন্ন উৎপাদন প্রক্রিয়া সাবস্ট্রেটের গঠন, কর্মক্ষমতা এবং খরচ নির্ধারণ করে এবং পণ্যের প্রকারভেদ করার মূল কারণ।
HTCC (উচ্চ-তাপমাত্রা কো-ফায়ারড সিরামিক)
1300-1600 ডিগ্রী উচ্চ তাপমাত্রায় সিন্টার করা হয়, উচ্চ-গলানোর-বিন্দু ধাতু যেমন টংস্টেন এবং মলিবডেনাম পরিবাহী হিসাবে ব্যবহার করে। প্রক্রিয়াটি পরিপক্ক, তবে খরচ তুলনামূলকভাবে বেশি এবং ধাতব স্তরগুলির বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা তুলনামূলকভাবে দুর্বল।
01
LTCC (নিম্ন-তাপমাত্রা কো-ফায়ারড সিরামিক)
850-900 ডিগ্রীতে সিন্টার করা হয়েছে, যা রূপা, সোনা এবং তামার মতো ভাল বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা সহ ধাতু ব্যবহারের অনুমতি দেয়। এটি জটিল বহুস্তর কাঠামো উপলব্ধি করতে পারে এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি এবং অত্যন্ত সমন্বিত মডিউলগুলির জন্য উপযুক্ত।
02
ডিবিসি (ডাইরেক্ট বন্ডেড কপার)
কপার ফয়েল একটি উচ্চ-তাপমাত্রা ইউটেটিক প্রক্রিয়ার মাধ্যমে সরাসরি সিরামিক সাবস্ট্রেটের সাথে সংযুক্ত থাকে। এটিতে নিম্ন তাপীয় প্রতিরোধ ক্ষমতা, উচ্চ কারেন্ট- বহন করার ক্ষমতা এবং উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা রয়েছে, যা এটিকে উচ্চ-শক্তির ডিভাইসের জন্য সবচেয়ে মূলধারার সিরামিক সাবস্ট্রেটগুলির মধ্যে একটি করে তুলেছে।
03
DPC (ডাইরেক্ট প্লেটেড কপার)
সার্কিট প্যাটার্ন তৈরি করতে সিরামিক সাবস্ট্রেটের পৃষ্ঠে সরাসরি তামাকে ইলেক্ট্রোপ্লেট করতে পাতলা-ফিল্ম প্রক্রিয়া প্রযুক্তি ব্যবহার করে। এটি উচ্চ নির্ভুলতা এবং সূক্ষ্ম লাইন প্রস্থ সক্ষম করে এবং সাম্প্রতিক বছরগুলিতে দ্রুত বিকাশ লাভ করেছে, একটি ব্যাপকভাবে প্রয়োগ করা প্রযুক্তি হয়ে উঠেছে।
04
LAM (লেজার অ্যাক্টিভেটেড মেটালাইজেশন)
সিরামিক পৃষ্ঠে সূক্ষ্ম ধাতব সার্কিট তৈরি করতে লেজার প্রযুক্তি ব্যবহার করে, এটিকে উচ্চ-নির্ভুলতা এবং ক্ষুদ্রাকৃতি ডিভাইসের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
05
সিরামিক বেস PCB নিম্নলিখিত প্রধান বৈশিষ্ট্য আছে:
বৈশিষ্ট্য
উচ্চ তাপ পরিবাহিতা
সিরামিক স্তর অপেক্ষাকৃত উচ্চ তাপ পরিবাহিতা আছে. উদাহরণস্বরূপ, একটি অ্যালুমিনা সিরামিক সাবস্ট্রেটের তাপ পরিবাহিতা হল 25-35 W/(m·K), যখন একটি অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড সিরামিক সাবস্ট্রেটের তাপ পরিবাহিতা 170-230 W/(m·K) হতে পারে। এই উচ্চ তাপ পরিবাহিতা সিরামিক সাবস্ট্রেটগুলিকে চমৎকার তাপ অপচয়ের কার্যকারিতা দেয়, যা তাদেরকে উচ্চ শক্তির ইলেকট্রনিক ডিভাইসের জন্য বিশেষভাবে উপযুক্ত করে তোলে।
উচ্চ যান্ত্রিক শক্তি এবং স্থায়িত্ব
সিরামিক সাবস্ট্রেটগুলির উচ্চ শক্তি এবং কঠোরতা রয়েছে এবং কঠোর পরিবেশে স্থিতিশীলতা বজায় রাখতে পারে। তাদের তাপ সম্প্রসারণের সহগ সিলিকনের কাছাকাছি, যা পাওয়ার মডিউলগুলির উত্পাদন প্রক্রিয়াকে সরল করে। এছাড়াও, সিরামিক সাবস্ট্রেটগুলি গুরুতর তাপমাত্রার ওঠানামার মধ্যে ভাল কাজ করে এবং নির্ভরযোগ্য তাপ সাইক্লিং কর্মক্ষমতা প্রদর্শন করে, চক্রের সংখ্যা 50,000 পর্যন্ত পৌঁছায়।
চমৎকার নিরোধক কর্মক্ষমতা
সিরামিক সাবস্ট্রেটগুলি চমৎকার নিরোধক কর্মক্ষমতা প্রদর্শন করে এবং উচ্চ অস্তরক শক্তি প্রয়োজন এমন অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত। তাদের একটি কম অস্তরক ধ্রুবক এবং ভাল উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি বৈশিষ্ট্য রয়েছে, যা উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি সার্কিটের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।
চমৎকার রাসায়নিক স্থিতিশীলতা
সিরামিক সাবস্ট্রেটগুলি অসামান্য রাসায়নিক স্থিতিশীলতা প্রদর্শন করে এবং উচ্চ-তাপমাত্রা অক্সিডেটিভ বা ক্ষয়কারী পরিবেশে উচ্চতর কর্মক্ষমতা বজায় রাখতে পারে। তারা সহজে ক্ষয়প্রাপ্ত হয় না.
গঠন
একটি সিরামিক সাবস্ট্রেটের মৌলিক কাঠামো সাধারণত একটি সিরামিক বেস উপাদান, একটি ধাতব স্তর এবং একটি আঠালো স্তর নিয়ে গঠিত। বিশেষত, একটি সিরামিক সাবস্ট্রেট বলতে একটি বিশেষভাবে প্রক্রিয়াকৃত বোর্ডকে বোঝায় যেখানে তামার ফয়েল উচ্চ তাপমাত্রায় অ্যালুমিনা (Al₂O₃) বা অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড (AlN) সিরামিক সাবস্ট্রেটের পৃষ্ঠের সাথে সরাসরি আবদ্ধ থাকে। এই অতি-পাতলা যৌগিক সাবস্ট্রেটটি চমৎকার বৈদ্যুতিক নিরোধক, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, উচ্চতর সোল্ডারযোগ্যতা এবং শক্তিশালী আনুগত্য বৈশিষ্ট্যযুক্ত। অধিকন্তু, এটি একটি প্রচলিত PCB-এর মতো বিভিন্ন প্যাটার্নে খোদাই করা যেতে পারে এবং উচ্চ কারেন্ট - বহন ক্ষমতা প্রদান করে।
সিরামিক সাবস্ট্রেটের বিভিন্ন প্রকারের বিস্তারিত কাঠামো
উচ্চ-তাপমাত্রা কো-ফায়ারড সিরামিক (HTCC)
এই ধরনের সাবস্ট্রেটের উৎপাদন খরচ তুলনামূলকভাবে বেশি, এবং সিরামিক পাউডারের গঠন এবং বিশুদ্ধতার উপর নির্ভর করে এর তাপ পরিবাহিতা সাধারণত 20 থেকে 200 W/(m·K) হয়ে থাকে।
01
নিম্ন-তাপমাত্রা কো-ফায়ারড সিরামিক (LTCC)
কম-গলানোর-বিন্দু কাচের উপাদানগুলি অ্যালুমিনা পাউডারে যোগ করা হয়, যা উচ্চ পরিবাহী ধাতু যেমন সোনা এবং রূপাকে ইলেক্ট্রোড এবং তারের উপকরণ হিসাবে ব্যবহার করার অনুমতি দেয়।
02
পুরু-ফিল্ম প্রিন্টেড সিরামিক সাবস্ট্রেট (TPC)
এই ধরনের সাবস্ট্রেট একটি স্ক্রিন-প্রিন্টিং প্রক্রিয়া ব্যবহার করে তৈরি করা হয় এবং একটি সহজ উত্পাদন পদ্ধতির বৈশিষ্ট্য রয়েছে। এটি স্বয়ংচালিত ইলেকট্রনিক মডিউলগুলির মতো সার্কিট নির্ভুলতার জন্য কম প্রয়োজনীয়তা সহ ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির প্যাকেজিংয়ের জন্য উপযুক্ত।
03
ডাইরেক্ট বন্ডেড কপার (DBC) সিরামিক সাবস্ট্রেট
উচ্চ-তাপমাত্রার অবস্থার অধীনে, তামার ফয়েল এবং সিরামিক সাবস্ট্রেট একটি ইউটেটিক বন্ধন প্রক্রিয়ার মাধ্যমে দৃঢ়ভাবে বন্ধন করা হয়, যার ফলে উচ্চ বন্ধনের শক্তি এবং চমৎকার তাপ পরিবাহিতা হয়। ইনসুলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর (আইজিবিটি) এবং লেজার উপাদানগুলির মতো ডিভাইসগুলিতে তাপ অপচয়ের জন্য এটি ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।
04
অ্যাক্টিভ মেটাল ব্রেজিং (AMB) সিরামিক সাবস্ট্রেট
এই ধরনের সাবস্ট্রেট সিরামিক সাবস্ট্রেট এবং কপার ফয়েলের মধ্যে সক্রিয় বা বিরল{0}}পৃথিবী উপাদান সমন্বিত সোল্ডারের মাধ্যমে বন্ধন অর্জন করে। এটি উচ্চ বন্ধন শক্তি এবং নির্ভরযোগ্যতা প্রদান করে এবং উচ্চ-ঘনত্ব প্যাকেজিং অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত।
05
আবেদন
1. ইলেকট্রনিক্স ক্ষেত্রে, সিরামিক সাবস্ট্রেটগুলি ইলেকট্রনিক উপাদান যেমন ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট, পাওয়ার মডিউল এবং আরএফ ডিভাইসগুলির জন্য আদর্শ বাহক। উচ্চ শক্তি, উচ্চ কঠোরতা, উচ্চ পরিধান প্রতিরোধের, চমৎকার নিরোধক কর্মক্ষমতা, এবং তাপ স্থিতিশীলতা সহ, তারা ইলেকট্রনিক সরঞ্জামগুলিতে স্থিতিশীল অপারেশন এবং দক্ষ সংকেত সংক্রমণ নিশ্চিত করে। সিরামিক সাবস্ট্রেটের প্রয়োগের মধ্যে রয়েছে, তবে উচ্চ-পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর মডিউল, পাওয়ার কন্ট্রোল সার্কিট, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি স্যুইচিং পাওয়ার সাপ্লাই, সলিড-স্টেট রিলে, স্বয়ংচালিত ইলেকট্রনিক্স, মহাকাশ এবং সামরিক ইলেকট্রনিক উপাদান এবং সোলার প্যানেল অন্তর্ভুক্ত রয়েছে।
2. যোগাযোগ ক্ষেত্রে, সিরামিক সাবস্ট্রেটগুলি মাইক্রোওয়েভ ফিল্টার, অ্যান্টেনা, পাওয়ার ডিভাইডার, কাপলার এবং আইসোলেটরের মতো উপাদানগুলিতে তৈরি করা যেতে পারে। এই উপাদানগুলি যোগাযোগ ব্যবস্থায় একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে, চমৎকার যান্ত্রিক শক্তি এবং তাপ পরিবাহিতা প্রদান করে।
3. অপটিক্স ক্ষেত্রে, সিরামিক সাবস্ট্রেটগুলি লেজারগুলির জন্য বেস হিসাবে ব্যবহৃত হয়, ভাল তাপ পরিবাহিতা এবং যান্ত্রিক শক্তি প্রদান করে। এগুলি ফাইবার-অপ্টিক যোগাযোগের জন্য বিভিন্ন উপাদান তৈরি করতেও ব্যবহৃত হয়, যেমন তরঙ্গদৈর্ঘ্য বিভাজন মাল্টিপ্লেক্সার এবং পোলারাইজেশন কন্ট্রোলার।
4. চিকিৎসা ক্ষেত্রে, সিরামিক সাবস্ট্রেটগুলি তাদের চমৎকার জৈব সামঞ্জস্যতা এবং রাসায়নিক স্থিতিশীলতার কারণে বায়োমেডিকাল সেন্সর এবং কৃত্রিম অঙ্গ সহ উচ্চ-চিকিৎসা ডিভাইসে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। উদাহরণস্বরূপ, সিরামিক সাবস্ট্রেটগুলি কৃত্রিম জয়েন্টগুলি এবং দাঁতের পুনরুদ্ধার সামগ্রী তৈরি করতে ব্যবহার করা যেতে পারে, যা ভাল জৈব সামঞ্জস্যতা এবং নান্দনিক বৈশিষ্ট্য সরবরাহ করে।
5. মহাকাশ ক্ষেত্রে, সিরামিক সাবস্ট্রেটগুলি ইঞ্জিনের উপাদান, তাপীয় বাধা আবরণ, দহন চেম্বারের লাইনিং এবং মহাকাশযানের অংশগুলি তৈরি করতে ব্যবহৃত হয়। উচ্চ শক্তি, বিকিরণ প্রতিরোধের, এবং উচ্চ-তাপমাত্রা প্রতিরোধের সাথে, তারা চরম পরিবেশে নির্ভরযোগ্য সহায়তা প্রদান করে, উচ্চ-গতি, উচ্চ-তাপমাত্রা এবং উচ্চ-বিকিরণ অবস্থার অধীনে স্থিতিশীল সিস্টেম অপারেশন নিশ্চিত করে।
6. আমাদের কোম্পানির সিরামিক সাবস্ট্রেট পণ্যগুলির মধ্যে মাল্টিলেয়ার সিরামিক PCB এবং 5G PCB অ্যান্টেনা অন্তর্ভুক্ত রয়েছে।
কাস্টমাইজড পণ্য
আমাদের অধিকাংশ পণ্য আমাদের গ্রাহকদের দ্বারা প্রদত্ত মূল Gerber ফাইলের উপর ভিত্তি করে কাস্টমাইজ করা হয়.
মূল Gerber ফাইল প্রাপ্তির পর, আমরা উত্পাদন ব্যবহারের জন্য তাদের কার্যকারী Gerber ফাইলে রূপান্তর করি।
এই রূপান্তর প্রক্রিয়া চলাকালীন, আমরা কিছু নির্দিষ্ট পরামিতি সামঞ্জস্য করি-যেমন গর্তের ব্যাস, ট্রেস প্রস্থ, এবং ট্রেস স্পেসিং-উৎপাদনযোগ্যতা অপ্টিমাইজ করতে এবং মসৃণ উত্পাদন নিশ্চিত করতে।
প্যাকেজ এবং ওয়ারেন্টি
স্টোরেজ এবং পরিবহনের সময় সর্বোত্তম সুরক্ষা নিশ্চিত করতে আমাদের সমস্ত পণ্য ভ্যাকুয়াম-ডেসিক্যান্ট দিয়ে প্যাকেজ করা হয়।
ভ্যাকুয়াম{0}}প্যাকেজ সার্কিট বোর্ডের শেলফ লাইফ পৃষ্ঠের চিকিত্সা প্রক্রিয়ার উপর নির্ভর করে পরিবর্তিত হয়, সাধারণত 3 থেকে 12 মাস পর্যন্ত। বিস্তারিত নিম্নরূপ:
বিভিন্ন সারফেস ট্রিটমেন্ট প্রসেসের জন্য শেলফ লাইফ
ENIG (ইলেক্ট্রোলেস নিকেল ইমারসন গোল্ড)
ডেসিক্যান্ট সুরক্ষা সহ ভ্যাকুয়াম প্যাকেজিংয়ের অধীনে 12 মাস পর্যন্ত সংরক্ষণ করা যেতে পারে।
লিড-বিনামূল্যে HASL (হট এয়ার সোল্ডার লেভেলিং)
যখন কোন বিশেষ স্টোরেজ সামঞ্জস্য করা হয় না, শেলফ লাইফ সাধারণত প্রায় 3 মাস হয়।
OSP (জৈব সোল্ডারেবিলিটি প্রিজারভেটিভ)
ডেসিক্যান্ট সুরক্ষা সহ ভ্যাকুয়াম প্যাকেজিংয়ের অধীনে 3-6 মাসের শেলফ লাইফ রয়েছে। যাইহোক, যদি ভুলভাবে সংরক্ষণ করা হয় (যেমন, ডেসিক্যান্ট ছাড়া বা অপর্যাপ্ত ভ্যাকুয়াম সিলিং সহ), শেলফ লাইফ প্রায় 3 মাস কম হতে পারে।
নিমজ্জন স্বর্ণ (রাসায়নিক সোনার প্রলেপ)
শেল্ফ লাইফ 6-12 মাস পর্যন্ত পৌঁছতে পারে, যদি সিল করা প্যাকেজিং এবং ডেসিক্যান্ট ব্যবহার করা হয়।
কোম্পানির সুবিধা
1. আমরা সমস্ত গ্রাহকের অনুসন্ধান এবং অভিযোগের 24 ঘন্টার মধ্যে একটি প্রতিক্রিয়া নিশ্চিত করি।
2. আমাদের কারখানাটি 2-স্তর বোর্ডের জন্য 1-দিনের নমুনা উত্পাদন অফার করে এবং ছোট এবং মাঝারি অর্ডারগুলির জন্য দ্রুত উত্পাদন পরিষেবা প্রদান করে, স্বল্প লিড টাইম এবং যথাসময়ে বিতরণ নিশ্চিত করে৷
3. আমরা PayPal, T/T এবং অন্যান্য সুবিধাজনক পদ্ধতির মাধ্যমে EUR, USD, RUB, এবং CNY সহ একাধিক পেমেন্ট বিকল্প সমর্থন করি।
গরম ট্যাগ: সিরামিক বেস পিসিবি, চীন সিরামিক বেস পিসিবি নির্মাতারা, সরবরাহকারী

